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モデルの場所:User Library CatalogElectricalPackages
結果 1021 ~ 1030/3096
ページごとの結果:
名前
部品番号
サプライヤ
Littelfuse
説明
SOT035P100X100-05
提供者
会社
Etteplan Finland Oz
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
108
追加日
11 6, 2019
部品番号
サプライヤ
TriQuint
説明
General DescriptionThe TriQuint TGA2704-SM provides 21 dB of smallsignal gain and 8W of output power across 9-11GHz. TGA2704-SM is designed using TriQuint’sproven standard 0.25μm gate pHEMT 3MI productionprocess.The TGA2704-SM features a ceramic QFN designedfor surface mount to a printed circuit board.Fully matched to 50 ohms and with integrated DCblocking capacitors on both I/O ports, the TGA2704-SM is ideally suited to support both commercialand defense related applicationsLead-free and RoHS compliant.Applications- Marine and Air Radar, Traffic Control- Weather Monitoring- Port Security- Point-to-Point Radio- CommunicationsProduct Features- Frequency Range: 9 - 11 GHz- Saturated Output Power: 39 dBm- Small Signal Gain: 21 dB- Bias: Vd = 9 V, Idq = 1.05 A, Vg = -0.74 V typical
提供者
会社
Speed Design
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
71
追加日
10 6, 2019
部品番号
サプライヤ
CREE
説明
CGHV96100F2100 W, 8.4 - 9.6 GHz, 50-ohm, Input/Output Matched GaN HEMTCree’s CGHV96100F2 is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor(HEMT) on Silicon Carbide (SiC) substrates. This GaN Internally Matched (IM) FEToffers excellent power added efficiency in comparison to other technologies. GaNhas superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higherbreakdown voltage, higher saturated electron drift velocity and higher thermalconductivity. GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidthscompared to GaAs transistors. This IM FET is available in a metal/ceramic flangedpackage for optimal electrical and thermal performance.
提供者
会社
Speed Design
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
119
追加日
9 6, 2019
名前
説明
Power Splitter/Combiner3 Way-0° 50Ω 1 to 300 MHz
提供者
会社
Speed Design
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
66
追加日
22 5, 2019
名前
説明
提供されたものはありません
コンフィギュレーション
はい
ダウンロード
259
追加日
8 6, 2019
名前
説明
提供されたものはありません
コンフィギュレーション
はい
ダウンロード
185
追加日
8 6, 2019
名前
説明
提供されたものはありません
コンフィギュレーション
はい
ダウンロード
122
追加日
8 6, 2019
名前
説明
uQFN package, MAX dimensions: 2.25(L) x 1.4(W) x 0.5(H), 10 pins.
提供者
会社
Topcon Agriculture
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
171
追加日
3 6, 2019
名前
説明
Diode Body MicroSMA used by Taiwan Semiconductor
提供者
会社
exelonx
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
64
追加日
1 6, 2019
部品番号
サプライヤ
MACOM
説明
Designed for wideband large signal amplifier and oscillator applicationsUp to 400 MHz range, in single-ended configurationN–Channel enhancement mode- Guaranteed 28 volt, 150 MHz performanceOutput power = 15 wattsNarrow band gain = 16 dB (Typ.)Efficiency = 60% (Typ.)- Small– and large–signal characterization- 100% tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR- Excellent thermal stability, ideally suited for Cass A operation- Facilitates manual gain control, ALC and modulation techniques
提供者
会社
Speed Design
コンフィギュレーション
いいえ
ダウンロード
84
追加日
25 5, 2019